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换句话说就是，一次绕组通入交流电，感应出交变磁通，这个交变磁通也会通过铁芯穿过二次绕组，那么二次绕组中有交变磁通通过就会产生交流电。如果二次绕组匝数比一次绕组匝数多，就会升压。二次绕组匝数比一次绕组匝数少就降压。匝数相同，一次和二次电压1:1。我国的低压供电系统一般采取三相四线制，中性线接地。三相四线制图供给居民家的电线，一根是相线，另一根是零线，也就是中性线，由于中性线是接地的，所以它是和大地同电位，当接触大地同时，再触及相线，就会使电流通过，和大地构成回路，造成触电危害。根据导轨支架中心线和辅助线，确定导轨支架位置，用水平尺校正，然后进行点焊。存在问题：混凝土下端的红砖有碎裂现象，用手锤敲击混凝土表面，有红砖露出；混凝土圈梁在井道内均匀分布，无法在圈梁上安装底层和顶层导轨支架。圈梁之间的间距小于2.5m，导轨支架数目不够；井道建好后，重新修改花费巨大，通过在导轨之间和底码间加入垫片只适合偏差不大的井道，如果垫入7mm以上的垫片，会造成导轨安装不牢固，对垫片进行点焊，随着建筑物发生沉降，底码和垫片间发生位移，垫片脱落，会导致导轨松动；日立三菱等厂家生产的电梯，轿厢尺寸较小，需要的井道尺寸也较小。操作步骤软件设置NJ通过Ethercat口连接NX-ECC201，节点号8。ECC201后面直接带NX-CIF105模块。双击软件中CIF105模块图标，进行设置：Eventlevel为发生报错的反应，无需改动默认即可；event4下面从上往下依次为：缓存允许，波特率，422/485切换，8位数据位，奇偶校验为无校验，停止位1位，流控功能关闭，收发允许，接受数据缓存为1000*0.1=100个字节。
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有朋友问，无功功率到底是什么？是无用功吗？当然不是。说到功率，就涉及到三个概念：视在功率、有功功率、无功功率。三者符合三角形函数关系。功率三角形如图：S平方=P平方+Q平方计算公式：（U、I为线电压和线电流）视在功率S=√3UI有功功率P=Scosφ=√3UIcosφ无功功率Q=Ssinφ=√3UIsinφ有功功率又叫平均功率，就是将电能转换为其他形式能量的电功率。如：机械能、光能、热能。电机铭牌上的额定功率就是有功功率。TN-C系统TN-C系统在TN-C接地系统中，地线和中性线是合二为一的。PEN线就是我们熟知的零线。设备的外壳与PEN线相连。所以所谓的外壳接地线，其实就是保护接零。当系统中出现了严重的三相不平衡，即IIb和Ic不相等，则有：Ia+Ib+Ic不等于0，PEN会出现较大的电流。有人会问那这样三相不平衡，家中电器外壳与PEN线相连不就有电压了吗？在TN-C接地系统中，变压器中性点出口处直接接地，相当于把零线电压给强制性地保持在零电位。
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大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“-”号。发光二极管的极性判别可以从管脚和管子内部结构来判别，如果管脚不是被剪过的，目前普遍认为发光二极管的长管脚是正极，短管脚是负极，和立式电解电容的极性辨别是一致的。从管芯内部结构来看，管芯是由大小瓣两部分组成，大瓣上有一圆锥坑以便聚光提高亮度，中间通过一细金属线将两瓣连在一起，与管芯小瓣部分相接的是长脚正极，与管芯大瓣部分相接是短脚负极。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。一个十几瓦或几十瓦的白炽灯的冷态阻抗大约在几十欧姆到几百欧姆，在此我假设为Z1=100Ω，根据阻抗的分压比可知，白炽灯上的压降是比较大的。另外白炽灯还有一个特性就是热态阻抗比冷态阻抗要大很多，实验得出大概十多倍的样子，在此我假设热态阻抗是冷态阻抗的10倍。由于上电白炽灯上有较大的压降和较大的电流会以非常快的速度发热，设发热后阻抗由Z1=100Ω变成Z1=1K，在很短的时间内会使Zo上的电压变得非常小从而避免了开关电源炸机。